[서울파이낸스 이서영 기자] SK하이닉스가 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직 적층해 현존 최고 용량인 24기가바이트(GB)를 구현한 HBM3 D램 신제품을 개발하는 데 성공했다고 20일 밝혔다.
회사는 모 고객사로부터 제품 성능 검증을 받고 있다.
HBM(고대역폭 메모리)은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고성능 제품으로, HBM3는 1세대(HBM), 2세대(HBM2), 3세대(HBM2E)에 이은 4세대 제품이다.
기존 HBM3의 최대 용량은 D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 16GB였다.
SK하이닉스 측은 "지난해 6월 세계 최초로 HBM3를 양산한 데 이어 이번에 기존 대비 용량을 50% 높인 24GB 패키지 제품을 개발하는 데 성공했다"며 "최근 인공지능(AI) 챗봇 산업이 확대되면서 늘어나는 프리미엄 메모리 수요에 맞춰 하반기부터 시장에 신제품을 공급할 수 있을 것"이라고 밝혔다.
SK하이닉스 기술진은 이번 제품에 어드밴스드 MR-MUF와 TSV 기술을 적용했다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고 굳히는 공정으로, 필름형 소재를 깔아주는 방식보다 공정이 효율적이고 열 방출에도 효과적이라고 회사 측은 설명했다.
SK하이닉스는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통해 전극으로 연결하는 TSV 기술을 적용, 기존 대비 40% 얇은 D램 단품 칩 12개를 수직으로 쌓아 16GB 제품과 같은 높이로 이번 제품을 구현했다고 밝혔다.
TSV 기술이 적용된 SK하이닉스의 HBM3는 동작 속도는 초당 819GB로, 풀HD 영화 163편을 단 1초에 전송할 수 있다.
SK하이닉스가 2013년 세계 최초로 개발한 HBM은 고성능 컴퓨팅을 요구하는 챗GPT 등 생성형 AI 서비스에 필수적인 메모리 반도체 제품으로 업계 주목을 받고 있다.
홍상후 SK하이닉스 부사장(P&T담당)은 "세계 최고의 후공정 기술력을 바탕으로 초고속, 고용량 HBM 제품을 연이어 개발해낼 수 있었다"며 "상반기 내 이번 신제품 양산 준비를 완료해 AI 시대 최첨단 D램 시장의 주도권을 확고히 해나가겠다"고 말했다.
