[서울파이낸스 이서영 기자] 삼성전자는 업계 최선단 12나노급 공정으로 16Gb(기가 비트) DDR5 D램 양산을 시작하다고 18일 밝혔다.
12나노급은 5세대 10나노 초미세 회로 공정을 의미한다. 기존 5세대 D램은 보통 11~12나노 공정을 통해 제작하는 것으로 알려져 있다.
삼성전자는 2021년부터 이전 세대인 14나노급(4세대 10나노) D램 양산을 시작했으며, 2년여만에 또 다시 최선단 제품을 양산을 시작한 것이다.
삼성전자 12나노급 D램은 이전 세대인 14나노급 D램 대비 생산성이 약 20% 향상됐다. 소비 전력도 23% 가량 개선됐다. 소비 전력 개선으로 데이터센터 등을 운영하는 데 있어 전력 운영 효율을 높이는 동시 탄소 배출을 줄일 수 있다.
삼성전자는 유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터(Capacitor) 용량을 늘렸다고 설명했다. D램의 커패시터 용량이 늘어나면 데이터 신호의 전위차가 커져 데이터 구분이 쉬워진다.
DDR5 규격의 12나노급 D램은 최고 동작 속도 7.2Gbps를 지원한다. 이는 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 단 1초에 처리할 수 있는 속도다.
이주영 삼성전자 메모리사업부 D램 개발실장은 "업계 최선단 12나노급 D램은 차별화된 공정 기술력을 기반으로 뛰어난 성능과 높은 전력 효율을 구현했다"며 "삼성전자는 대용량 처리가 요구되는 컴퓨팅 시장 수요에 맞춰 고성능, 고용량을 확보할 뿐만 아니라 높은 생산성으로 제품을 적기에 상용화해 D램 시장을 지속 선도해나갈 것"이라고 말했다.
