삼성전자 "파운드리 기술력으로 팹리스 업체와 함께 성장"

[서울파이낸스 윤은식 기자] 삼성전자는 3일 서울 강남 삼성동 그랜드 인터컨티넨탈 서울 파르나스 호텔에서 '삼성 파운드리 포럼 2019 코리아'를 개최했다.

이번 포럼은 지난해보다 약 40% 늘어난 500명 이상의 팹리스 고객과 파운드리 파트너가 참석했다. 첨단 파운드리 기술 트렌드를 공유하는 전시 부스 운영에도 참여 기업이 2배가량 늘었다.

삼성전자 관계자는 "삼성전자의 '반도체 비전 2030' 선포 이후 높아진 국내 시스템 반도체 업계의 관심을 확인할 수 있었다"며 "삼성의 파운드리 기술력을 바탕으로 국내 팹리스 업체와 파트너가 함께 성장하도록 노력하겠다"고 말했다.

삼성전자가 올해 4월 선포한 '반도체 비전 2030'은 133조원 투자와 1만5000명 고용 창출을 통해 2030년까지 시스템 반도체 글로벌 1위를 목표로 하고 있다.

이번 포럼에서 삼성전자는 인공지능(AI), 5G, 전장, 사물인터넷(IoT) 등 4차 산업혁명 시대를 주도할 최신 극자외선(EUV) 공정 기술부터 저전력 FD-S01, 8인치 솔루션까지 넓은 파운드리 포트폴리오를 소개했다.

삼성전자는 국내 팹리스 기업에 7나노 이하 EUV 기반 초미세 공정도 적극 제공해 차세대 첨단 제품 개발을 지원함으로써 국내 시스템 반도체 산업의 경쟁력 확보에도 이바지해 나갈 계획이다.

아울러 팹리스 고객들이 삼성의 파운드리 공정 기술과 서비스를 보다 쉽게 활용할 수 있도록 반도체 디자인하우스를 비롯해 설계자산(IP), 자동화 설계 툴(EDA), 조립테스트(OSAT)까지 국내 파운드리 파트너들과 협력을 확대해 나갈 예정이다.

한편 삼성전자는 올 4월 저전력 28나노 FD-SOI 공정 기반 내장형 M램(eMRAM) 솔루션 제품과 EUV 노광 기술을 적용해 성능과 수율을 높인 7나노 핀펫 제품을 출하와 차세대 5나노 공정 개발을 공개하는 등 파운드리 기술을 이끌고 있다.

특히 전류가 흐르는 통로인 원통형 채널(Channel) 전체를 게이트(Gate)가 둘러싸 전류의 흐름을 더 세밀하게 제어할 수 있는 차세대 트랜지스터 구조의 3나노 GAE(3나노 Gate-All-Around Early) 공정 설계 키트(PDK v0.1, Process Design Kit)를 팹리스 고객에게 배포하기도 했다.

정은승 삼성전자 파운드리사업부 사장은 "삼성전자는 반도체 불모지에서 사업을 시작해 역경을 딛고 업계 1위에 오른 경험이 있다”며 “파운드리 분야의 최고를 향한 여정도 쉽지 않겠지만 난관을 헤치고 함께 성장해 나갈 수 있게 관심과 응원을 부탁드린다"고 말했다.

이어 "국내 팹리스 기업들이 신시장을 비롯한 다양한 분야에서 활약할 수 있도록 디자인 서비스, 제조, 패키지 등 개발부터 양산까지 협력 생태계를 활성화해 시스템 반도체 산업 발전에 이바지하겠다"고 덧붙였다.