삼성, 尹·바이든 서명한 '3나노' 양산 다음주 세계 최초 발표

[서울파이낸스 오세정 기자] 삼성전자가 세계 최초로 파운드리(반도체 위탁생산) 3나노미터(㎚=10억분의 1ｍ) 공정의 양산에 돌입한다.

22일 업계에 따르면 삼성전자는 다음 주 중 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 3나노 반도체 공정의 양산을 공식 발표할 것으로 알려졌다.

GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술보다 칩 면적을 줄이고 소비전력은 감소시키면서 성능은 높인 신기술이다.

지난달 윤석열 대통령과 조 바이든 미국 대통령이 삼성전자 평택공장을 찾았을 때 이런 GAA 기반 3나노 시제품에 서명해 화제를 모았다. 이재용 삼성전자 부회장이 당시 이 제품을 윤 대통령과 바이든 대통령에게 직접 소개했다.

삼성전자는 그간 GAA 기술을 적용해 올해 상반기 내 대만의 TSMC보다 먼저 3나노 양산을 시작하겠다는 목표를 제시해왔다. TSMC가 3나노미터 반도체를 양산하겠다고 한 시점은 올 하반기다.

삼성전자 관계자는 "3나노 양산 일정은 예정대로 차질없이 진행되고 있으며 상반기 중 양산을 시작한다"고 말했다.

그동안 업계에서는 삼성전자가 수율(결함이 없는 합격품의 비율) 문제로 3나노 양산을 미루는 게 아니냐는 관측이 나왔다. 실제로 올 초에도 초미세 공정 파운드리 수율 문제로 주요 고객사가 이탈하는 등 진통을 겪어왔다.

삼성이 수율 위기를 딛고 당초 계획대로 3나노 양산을 결정한 건 파운드리 업계 1위를 향한 '기술 초격차' 의지로 해석된다. 지난 18일 이재용 부회장이 '기술 리더십'을 공고히 해 나가겠다는 단호한 의지를 담아 '기술'을 세 차례나 언급한 것과도 관련이 있을 것으로 보인다.

삼성전자가 3나노 양산을 시작하면 TSMC보다 기술력에서 앞선다는 것을 고객사에 보여주면서 파운드리 시장에서의 위상도 강화될 것으로 업계는 보고 있다.

메모리 반도체의 절대 강자인 삼성전자는 파운드리 시장에서는 TSMC를 추격하는 신세였다. 최근에는 TSMC와의 점유율 격차도 더 벌어졌다. 대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 삼성전자의 올 1분기 파운드리 매출은 53억2800만 달러(6조4256억원)로, 작년 4분기 대비 3.9% 감소했다. 

삼성전자는 글로벌 파운드리 10대 주요 업체 가운데 1분기 매출액이 유일하게 뒷걸음쳤으며, 시장 점유율도 이 기간 18.3%에서 16.3%로 줄었다. 반면 TSMC는 같은 기간 11.3% 증가한 175억2900만달러의 매출을 올려 점유율도 52.1%에서 53.6%로 늘어났다.

삼성전자는 3나노 양산을 계기로 시스템 반도체 분야에서도 세계 정상에 오르겠다는 '시스템 반도체 2030 비전'에 속도를 낸다는 계획이다. 삼성전자가 170억달러를 투입해 미국 텍사스주 테일러시에 건설할 제2 파운드리 공장도 사실상 공사에 들어갔다. 테일러시 파운드리 공장은 2024년 하반기 가동을 목표로 약 500만㎡(150만평) 규모로 조성되며, 완공되면 최첨단 시스템 반도체를 생산하게 된다.