낸드플래시 적층 경쟁에···삼성전자도 '200단급' 임박?
낸드플래시 적층 경쟁에···삼성전자도 '200단급' 임박?
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삼성전자 V7 SSD 이미지 사진. (사진=삼성전자)
삼성전자 V7 SSD 이미지 사진. (사진=삼성전자)

[서울파이낸스 이서영 기자] 반도체 업계의 낸드플래시 초고적층 경쟁이 가속화 되고 있다. SK하이닉스가 세계 최초로 238단 낸드플래시 개발에 성공해, 20년 연속 업계 점유율 1위인 삼성전자 행보에도 관심이 쏠린다. 이에 삼성전자는 시장에 따라 싱글 스택이 아닌 더블 스택을 적용한 200단 이상의 낸드플래시 기술을 발표 할 가능성이 커진 상황이다. 

4일 반도체 업계에 따르면, SK하이닉스는 238단 낸드플래시 개발에 성공해 내년 상반기부터 본격적으로 양산한다. 

건물 층수를 높이면 많은 업무 공간을 확보되는 것 처럼, 낸드플래시의 경우 층수가 높을수록 같은 면적으로 고용량을 구현할 수 있다. 이로 인해 단을 올리는 이른바, 고적층 기술은 낸드플래시 경쟁력의 핵심 요소로 꼽힌다. 

업계에서는 기술장벽의 한계로 여기던 '200단'을 넘어서기 위한 노력이 지속돼 왔다. 노력에 힘입어 마이크론이 최근 232단을 개발 한 데 이어 SK하이닉스가 더 높은 단을 쌓은 것이다. 특히 SK하이닉스의 238단 낸드플래시는 가장 높은 층에, 세계에서 가장 작은 사이즈로 제작됐다.

이에 업계 점유율 1위인 삼성전자도 200단 이상의 낸시플래시 적층 경쟁에 돌입할 것이라는 관측이 제기된다. 현재 삼성전자는 176단 낸드플래시 생산에 주력하고 있다. 

삼성전자는 낸드플래시의 100단 이상까지 세계 최초 자리를 도맡았다. 그러나 2019년 SK하이닉스가 128단에 먼저 도달했고, 176단은 마이크론이 달성했다. 

다만 삼성전자의 기술력이 SK하이닉스, 마이크론보다 뒤쳐진다고 보긴 어렵다. 낸드플래시는 가장 위·아래 층에 하나의 구멍으로 연결한 싱글 스택과 두 차례 구멍을 뚫고 이를 이어붙인 더블 스택으로 나뉜다. 삼성전자는 현재 싱글 스택 기술로 128단을 한 번에 쌓을 수 있는데, 더블 스택 기술을 적용할 경우 200단 이상 적층이 가능하다는 것이다. 

SK하이닉스와 마이크론은 더블 스택 기술로 200단을 넘어섰다. 이에 삼성전자가 더블 스택을 이용해 업계 최고층인 256단 낸드플래시 양산은 언제든 가능할 것으로 업계는 판단하고 있다. 

이미 삼성전자는 적층 경쟁에서 기술력을 확보했다고 공언한 바 있다.

송재혁 삼성전자 플래시 개발실장 부사장은 지난해 회사 뉴스룸 기고문에서 "삼성전자는 이미 200단이 넘는 낸드플래시 동작 칩을 확보했다"며 "시장 상황과 고객들의 요구에 따라 적기에 제품을 선보일 수 있도록 만반의 준비를 하고 있다"라고 언급하기도 했다.

즉, 기술력은 이미 확보됐지만, 삼성전자는 200단 이상의 낸드플래시에 대한 수요가 적다고 판단한 것으로 보인다.    

일각에서 이번 플래시 메모리 서밋 2022에서 삼성전자의 200단 이상 낸드플레시 기술력 발표가 있을 것이라 관측도 제기된다. 이번 서밋 기간이 아니더라도, 수달 내 발표할 가능성이 크다는데 무게가 실린다. 

이와 관련 삼성전자 관계자는 "추후 200단 이상의 낸드플래시 기술 발표가 있을 예정이지만, 플래시 메모리 서밋에서 발표하는 것에 대해서는 듣지 못했다"고 답했다. 

이어 "삼성전자가 가고자 하는 길은 SK하이닉스와 다른 방향성이라고 이해해달라"며 "무조건 많이 쌓는 것보다 어떻게 밀도있게 올리는 방향성을 고민하는 중"이라고 덧붙였다. 



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