FS리서치는 GaN(질화갈륨) 트랜지스터, 전력증폭기 생산기업인 RFHIC가 앞으로 GaN의 전방시장 확대시 수혜가 예상된다고 14일 밝혔다.
FS리서치에 따르면 이 회사는 GaN on SiC 웨이퍼를 울프스피드(미국, 화학물반도체 웨이퍼 생산 기업)로부터 수입해 트랜지스터를 생산, 직접 판매하거나 전력증폭기로 모듈화해 판매하고 있다.
패키징은 자회사 RF머티리얼즈(지분율 37.7%)를 통해 이뤄지고 있다. GaN 트랜지스터는 기존의 LDMOS(Si) 에 비해 효율은 10%, 열전도도는 5배 높으며, 크기는 50% 감소, 전력사용량은 20% 낮은 특성을 갖고 있다.
이러한 고효율의 특성에도 아직은 높은 가격(2배 이상으로 추정) 때문에 주로 5G 기지국, 방산 제품(주로 레이더) 등에서 쓰이고 있다. 22년 예상치 기준 동사의 전방산업별 매출 비중은 통신 42%, 방산 50%, 기타 10%이다.
박진 FS리서치 연구원은 "고효율이지만 높은 가격이 문제인 경우 보통 ‘연구개발을 통한 가격 하락 과 반드시 써야 하는 전방산업이 발달’하면 수요가 폭발적으로 늘어나게 된다"면서 "GaN의 경우 고주파대역의 통신망과 급속충전에서 강점이 있기 때문에 향후 저궤도위성, 전기차 고속충전 시장이 본격 성장할 때 시장규모가 크게 증가할 수 있다"고 분석했다.
그는 이어 "RFHIC는 20년 이상 GaN 관련 제품만 생산해온 기업으로서 GaN 트랜지스터 시장에서 글로벌 MS 15%, 3위를 차지하고 있음을 감안할 때 향후 전방시장 확장 시 수혜가 기대된다"고 덧붙였다.
