[서울파이낸스 이서영 기자] 삼성전자가 미국 실리콘밸리에서 '삼성 파운드리 포럼 2023'을 개최하고 구체적인 2나노미터(nm) 양산 계획을 발표했다.
27일(현지시간) 삼성전자는 미국 실리콘밸리에서 '경계를 넘어서는 혁신'을 주제로, 인공지능(AI) 시대 최첨단 반도체 한계를 극복할 다양한 방법을 제시했다.
2나노의 응용처 확대와 첨단 패키지 협의체인 'MDI(Multi Die Integration) Alliance' 출범, 올해 하반기 평택 3라인 파운드리 제품 양산 등을 통해 파운드리 사업 경쟁력을 강화해 나가겠다고 밝혔다.
삼성전자는 2025년 모바일 중심으로 2나노 공정(SF2)을 양산하고, 2026년 고성능 컴퓨팅(HPC) 공정, 2027년 자율주행용 공정으로 확대한다. 최첨단 SF2 공정은 SF3 대비 성능이 12%, 전력효율은 25% 향상되며 면적은 5% 감소한다.
1.4나노 공정은 계획대로 2027년 양산에 돌입한다.
또한 삼성전자는 2025년 8인치 질화갈륨(GaN) 전력반도체 생산을 시작하겠다고 밝혔다. GaN는 현재의 실리콘 반도체보다 속도와 전력 효율이 강화된 차세대 전력반도체다.
삼성전자는 차세대 6세대 이동통신(6G) 선행 기술 확보를 위해 5나노 RF(Radio Frequency) 공정도 개발해 2025년 상반기에 양산한다. 5나노 RF 공정은 기존 14나노 대비 전력효율은 40% 이상 향상되고 면적은 50% 감소한다.
현재 양산 중인 8나노, 14나노 RF 공정을 모바일 외 자율주행 등 다양한 응용처로 확대해 나갈 계획이다.
삼성전자는 반도체 생산에 필수인 클린룸을 선제적으로 건설하고, 향후 시장 수요와 연계한 탄력적인 설비 투자로 안정적인 생산 능력을 확보하는 쉘퍼스트 전략도 단계적으로 펼친다.
삼성전자는 시장과 고객 수요에 신속하고 탄력적으로 대응하기 위해 평택과 테일러에 반도체 클린룸을 선제적으로 건설하고 있으며, 2027년 클린룸의 규모는 2021년 대비 7.3배 확대된다.
삼성전자는 올해 하반기 한국 평택 3라인에서 모바일 등 다양한 응용처의 파운드리 제품을 본격 양산할 계획이다.
현재 건설 중인 미국 테일러 1라인을 계획대로 올해 하반기에 완공하고, 내년 하반기에 가동한다.
삼성전자는 평택과 테일러에 이어 국가산업단지로 조성중인 용인으로 생산 거점을 확대한다.
최시영 삼성전자 파운드리사업부 사장은 기조연설을 통해 "많은 고객사들이 자체 제품과 서비스에 최적화된 인공지능 전용 반도체 개발에 적극 나서고 있다"면서 "삼성전자는 인공지능 반도체에 가장 최적화된 GAA 트랜지스터 기술을 계속 혁신해 나가며 인공지능 기술 패러다임 변화를 주도하겠다"고 말했다.
