[서울파이낸스 오세정 기자] 삼성전자는 25일 경기도 화성캠퍼스 내 극자외선(EUV) 전용 V1 라인에서 차세대 트랜지스터 GAA(Gate All Around) 기술을 적용한 3나노(1㎚는 10억분의 1ｍ) 파운드리 제품 출하식을 개최했다.
이날 행사에는 이창양 산업통상자원부 장관, 삼성전자 경계현 DS부문장 대표이사(사장) 및 임직원, 협력사와 팹리스 관계자 등 100여명이 참석했다.
삼성전자는 앞서 지난달 말 세계 최초로 GAA 기술을 적용한 3나노 공정 양산 돌입을 발표했다. 3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술로, 대만의 TSMC와 미국 인텔 등 파운드리 경쟁사를 제치고 삼성전자가 가장 먼저 선보였다.
특히 기존의 핀펫(FinFET) 기술보다 칩 면적과 소비 전력은 줄이고 성능은 높인 GAA 기술을 적용했다는 점에서 기술적 의의도 크다는 평가를 받는다. 삼성전자는 GAA 트랜지스터 구조 연구를 2000년대 초반부터 시작했고, 2017년부터 3나노 공정에 적용해 최근 양산에 성공했다.
삼성전자 파운드리사업부는 이날 출하식에서 '혁신적인 기술력으로 세계 최고를 향해 나아가겠다'는 포부를 밝혔다. 3나노 GAA 공정 양산과 선제적인 파운드리 기술로 사업 경쟁력을 강화해 나가겠다는 것이다.
정기태 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장 부사장은 기술 개발 경과보고를 통해 파운드리사업부, 반도체연구소, 글로벌 제조·인프라총괄 등 사업부를 넘어선 협업으로 기술개발의 한계를 극복한 점을 강조했다.
경 사장은 인사말에서 "삼성전자는 이번 제품 양산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다"면서 "핀펫 트랜지스터가 기술적 한계에 다다랐을 때 새로운 대안이 될 GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적인 결과"라고 평가했다.
이 장관은 축사에서 삼성전자 임직원들과 기술 개발에 힘을 보탠 반도체업계의 노력에 감사를 표한 뒤 "앞으로도 3나노 공정이 높은 수율(결함이 없는 합격품의 비율)을 확보해 안정적으로 안착하려면 업계가 힘을 모아야 한다"고 강조했다. 이어 "정부도 최근 발표한 '반도체 초강대국 달성전략'을 바탕으로 민간 투자 지원, 인력 양성, 기술 개발, 소재·부품·장비(소부장) 생태계 구축에 전폭적인 노력을 아끼지 않을 것"이라고 약속했다.
국내 소부장 및 시스템반도체 기업들은 초미세 공정용 소재, 장비, 설계자산(IP) 등을 공동 개발함으로써 3나노 제품 양산을 뒷받침했다. 이에 이번 성과는 사실상 한국 반도체 산업계가 공동으로 이룬 것이라고 산업부는 평가했다.
특히 첨단 반도체 제조시설은 국가 안보 자산이어서 3나노 반도체 양산 성공은 경제 안보 차원에서 의미가 크며 글로벌 반도체 공급망에 기여하는 한국의 위상도 한층 높아질 것으로 산업부는 기대했다.
삼성전자는 3나노 GAA 공정을 고성능 컴퓨팅(HPC)에 처음 적용하고, 주요 고객사와 협력해 모바일 시스템온칩(SoC) 등 다양한 제품군으로 확대한다는 계획이다.
행사에 참석한 반도체 장비업체 원익IPS의 이현덕 대표이사는 "삼성전자와 함께 3나노 GAA 파운드리 공정 양산을 준비하면서 우리 회사 임직원의 역량도 한층 더 강화됐다"며 "앞으로도 국내 반도체 장비 산업 발전을 위해 삼성전자와 함께 최선의 노력을 다하겠다"고 밝혔다.
국내 팹리스 업체 텔레칩스의 이장규 대표이사는 "삼성전자의 초미세 공정을 활용한 미래 제품 설계에 대한 기대감이 크다"며 "삼성전자는 초미세 파운드리 공정을 국내 팹리스에 적극 제공하며 팹리스가 제품 설계 범위를 넓혀갈 수 있도록 다양한 지원책을 제공하고 있다"고 말했다.
삼성전자는 화성캠퍼스에 이어 향후 평택 캠퍼스까지 3나노 GAA 파운드리 공정 제품의 양산을 확대해 나갈 예정이다.
