HBM 올인에 범용 D램 부족 우려···삼성·SK, 시설투자 확대
HBM 올인에 범용 D램 부족 우려···삼성·SK, 시설투자 확대
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HBM, 범용 D램보다 많은 생산설비 요구
지난해 재고 빠르게 소진···D램 가격 인상
삼성 "HBM 올인"···SK "D램 수요 맞출 것"
삼성전자의 반도체 사업장인 평택캠퍼스(위), SK하이닉스의 이천 반도체 공장. (사진=각사)
삼성전자의 반도체 사업장인 평택캠퍼스(위), SK하이닉스의 이천 반도체 공장. (사진=각사)

[서울파이낸스 여용준 기자] AI 붐으로 고대역폭메모리(HBM) 수요가 늘어나면서 범용 D램 부족 사태가 올 것이라는 관측이 나왔다. 이에 따라 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 반도체 기업의 시설투자도 올해 크게 늘어날 것으로 보인다. 

26일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 '메모리 빅3'는 최근 HBM 생산량이 늘어나면서 범용 D램 생산능력이 줄어들 것으로 보인다. 특히 올 하반기부터는 범용 D램 공급이 수요를 따라가지 못하는 상황이 발생할 수 있어 설비투자가 확대될 것으로 보인다. 

SK하이닉스는 1분기 시설투자액이 2조9430억원으로 전년 동기 대비 68% 늘었다. 또 R&D 투자 역시 1조1090억원으로 2% 확대했다. SK하이닉스는 "올해 투자 규모는 연초 계획 대비 다소 증가할 것으로 보인다"며 "고객 수요 증가 추세에 따라 투자를 확대하기로 한 것이며, 이를 통해 HBM뿐 아니라 일반 D램 공급도 시장 수요에 맞춰 적절히 늘려갈 것"이라고 설명했다.

삼성전자는 1분기 DS부문에 9조6663억원을 투입한다. 이는 전년 동기 9조7877억원 대비 소폭 줄어든 수준이지만, R&D 투자는 7조8201억원으로 전년 동기 대비 19% 늘었다. 이와 함께 올해 초 공사를 중단했던 평택5공장도 곧 공사를 재개하는 것으로 알려졌다. 

삼성전자는 HBM 주도권을 SK하이닉스에 내준 만큼 주도권 탈환을 위해 HBM 투자를 확대한다는 계획이다. 삼성전자는 "HBM의 경우 생산능력 확대와 함께 공급을 지속 늘려나갈 예정"이라며 "고용량 제품에 대한 수요 증가세에 맞춰 업계 최초로 개발한 HBM3E 12단 제품의 램프업을 가속화할 예정"이라고 밝혔다. 특히 1분기 설비투자에 대해서는 "HBM/DDR5 등 첨단 제품 수요 대응을 위한 설비 및 후공정 투자에 집중했다"고 강조했다. 

HBM은 D램의 일종이지만, 다이(D램을 쌓는 판) 크기가 기존 D램보다 커서 생산설비가 최대 3배 가까이 더 필요하다. 이 때문에 HBM 생산에 공정을 할당할수록, 범용 D램 생산량은 줄어들게 된다. 

지난해 반도체 불황으로 하반기까지 메모리 감산을 지속했던 만큼 재고 소진도 예상보다 빠르게 이뤄지고 있다. 이 때문에 D램 가격도 오르고 있다. 시장조사업체 D램익스체인지에 따르면 PC용 D램 범용제품(DDR4 8Gb)의 지난달 현물가격은 2.1달러로 1월의 1.8달러보다 16.6% 상승했다. 서버용 D램 제품 가격도 최대 19% 올랐다.

한편 최근 업계에서는 HBM 주요 고객사인 엔비디아가 3분기에 HBM 탑재량을 늘린 B100을 양산하면서 HBM 부족 구간에 진입할 것으로 보고 있다. 이에 따라 HBM 수요도 늘어날 것으로 예상되는 가운데 메모리 제조사는 이 같은 수요에 대응하기 위해 시설투자 확대와 생산 배분 효율화를 꾀할 것으로 보인다. 특히 HBM 주도권을 탈환해야 하는 위치에 놓인 삼성전자는 최근 평택캠퍼스에 7공장까지 확대하기 위한 부지를 갖춘 것으로 알려졌다. 


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