[서울파이낸스 박진형기자] 삼성전자는 현존하는 D램보다 7배 이상 빠른 차세대 '4기가바이트(GB) HBM2(고대역폭 메모리) D램' 양산에 돌입한다고 19일 밝혔다.
4GB HBM2 D램은 삼성전자의 최신 20나노 공정을 적용한 8기가비트(Gb) HBM2 D램 4개로 구성된다. 삼성전자는 TSV(실리콘관통전극) 기술로 D램 칩에 5000개 이상의 구멍을 뚫고 상하를 연결해 HBM2 D램의 데이터 처리속도를 혁신적으로 끌어올렸다.
초당 256GB의 데이터를 전송해, 현재 개발된 D램 중 가장 빠른 4Gb GDDR5(9Gbps)보다 7배 이상 많은 데이터를 처리한다. 와트당 데이터 전송량도 2배로 높여 전력소모량을 크게 줄였다. 1세대 HBM D램보다는 2배 빠른 속도를 낸다.
삼성전자는 4GB HBM2 D램이 △초절전 △초슬림 △고신뢰성 등을 모두 구현해 차세대 그래픽카드와 초고성능 컴퓨팅 환경이 요구하는 특징을 모두 만족시켰다고 평가했다. 회사는 올해 상반기에 용량을 2배 올린 '8기가바이트 HBM2 D램'도 양산할 계획이다.
전세원 삼성전자 메모리사업부 마케팅팀 전무는 "차세대 HBM2 D램 양산으로 글로벌 IT기업들이 HPC(초고성능 컴퓨팅 시스템)를 적기에 도입하는 데 기여하게 됐다"며 "향후에도 변화에 한발 앞서 대응하고 새로운 성장 기반을 지속 확보해 나갈 것"이라고 강조했다.
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